技术科学学部

邹世昌

Zou Shichang

  (1931.07.27-)材料科学家,江苏太仓人,曾任中国科学院上海冶金研究所所长 (1983—1997)、现任该所研究员及上海华虹 NEC电子有限公司副董事长。 1952年唐山交通大学冶金工程系毕业,1958年在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位。邹世昌在60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成 形部分工作,对技术线路进行优选决策。70年代以后独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。研究了分子离子注入的损伤增强效应。用全离子注入技术研制成中国第 一块 l20门砷化镓门阵列电路,用反应离子束加 工成中国第一批闪光全息光栅。研究 SOI 材料并 制成CMOS/SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成氮化硅,氮化钛薄膜。90年代又在发展高科技产业方面作出了新的贡献。荣获国家发明一等奖,中国科学院自然科学科技进步奖12项。 发表学术论文200多篇。国际离子注入及材料改性两个学术会议的国际委员会委员。